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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2013-03	Effects of postdeposition annealing on a high-k-last/gate-last integration scheme for 20 nm nMOS and pMOS	Chen, Ying-Tsung; Fu, Ssu-I; Lin, Chien-Ting; Chiang, Wen-Tai; Chang, Shoou-Jinn; Lin, Mon-Sen; Jenq, Jyh-Shyang

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