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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:08:27Z	WSiN Cap Layer for Improvement of Ohmic Contact Morphology in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors	Lu, Chung Yu; Hilt, Oliver; Lossy, Richard; Chaturvedi, Nidhi; John, Wilfred; Chang, Edward Yi; Wuerfl, Joachim; Trankle, Gunther

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