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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-10-05T00:08:44Z Simulation study of gated nanowire InAs/Si Hetero p channel TFET and effects of interface trap Joseph, H. Bijo; Singh, Sankalp Kumar; Hariharan, R. M.; Tarauni, Yusuf; Thiruvadigal, D. John
國立交通大學 2019-08-02T02:15:30Z Optimization of InAs/GaSb core-shell nanowire structure for improved TFET performance Singh, Sankalp Kumar; Kakkerla, Ramesh Kumar; Joseph, H. Bijo; Gupta, Ankur; Anandan, Deepak; Nagarajan, Venkatesan; Yu, Hung Wei; Thiruvadigal, D. John; Chang, Edward Yi
國立交通大學 2018-08-21T05:53:51Z Hetero structure PNPN tunnel FET: Analysis of scaling effects on counter doping Joseph, H. Bijo; Singh, Sankalp Kumar; Hariharan, R. M.; Priya, P. Aruna; Kumar, N. Mohan; Thiruvadigal, D. John

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