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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:04:57Z INFLUENCE OF IMPLANT CONDITION ON THE TRANSIENT-ENHANCED DIFFUSION OF ION-IMPLANTED BORON IN SILICON JUANG, MH; WAN, FS; LIU, HW; CHENG, KL; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:56Z SUPPRESSION OF ANOMALOUS DIFFUSION OF ION-IMPLANTED BORON IN SILICON BY LASER PROCESSING JUANG, MH; WAN, FS; LIU, HW; CHENG, KL; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:56Z FORMATION OF SHALLOW P+N JUNCTIONS BY IMPLANTING BF2+ IONS INTO THIN COBALT FILMS ON SILICON SUBSTRATES JUANG, MH; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:55Z FORMATION OF P(+)N JUNCTIONS BY SI(+)+B(+) IMPLANTATION AND LASER ANNEALING JUANG, MH; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:51Z NOVEL EFFECTS OF HEATING RATE ON THE ACTIVATION RECRYSTALLIZATION OF BORON-IMPLANTED SI SUBSTRATES JUANG, MH; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:50Z FILM THICKNESS EFFECT ON THE EPITAXIAL-GROWTH OF COSI2 ON SI(111) JUANG, MH; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:47Z CONVENTIONAL FURNACE AND RAPID THERMAL ANNEALING OF COBALT FILMS ON SI(111) JUANG, MH; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:46Z FORMATION OF SELF-ALIGNED TISI2 P+-N JUNCTIONS BY IMPLANTING BF2+ IONS THROUGH THIN TI OR SIO2 FILM ON SI SUBSTRATE RAPID THERMAL ANNEALING JUANG, MH; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:46Z CHARACTERIZATION OF SILICIDED SHALLOW N+P JUNCTIONS FORMED BY P+ IMPLANTATION INTO THIN TI FILMS ON SI SUBSTRATES JUANG, MH; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:43Z ACTIVATION MECHANISM OF IMPLANTED BORON IN A SI SUBSTRATE JUANG, MH; CHENG, HC

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