臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立高雄師範大學	2002-08	新式磷化銦/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體之研究及應用	蔡榮輝; Jung-Hui Tsai
國立高雄師範大學	2002-01	Characteristics of InGaP/GaAs co-Integrated d-doped heterojunction bipolar transistor and doped-channel field effect transistor	Jung-Hui Tsai; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	2002	電子學	何明宗;蔡榮輝;李孟恩; Ming-Chung Ho;Meng-En Lee;Jung-Hui Tsai
國立高雄師範大學	2002	InGaP/GaAs camel-gate field effect transistor with double d-doping channel profiles	Jung-Hui Tsai; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	2002	High-Breakdown Voltage Heterostructure Fields-Effect Transistor for High Temperature Operations	Jung-Hui Tsai;Jung-Hui Tsai;Wen-Lung Chang;Kuo-Hui Yu;Kun-Wei Lin; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	2002	InGaP/InGaAs/GaAs single d-doped pseudomorphic high electron mobility transistor with high barrier camel gate	Jung-Hui Tsai;Ming-Jui Lin;King-Poul Ge; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	2002	A New InP/InGaAs d-doped heterojunction bipolar transistor	Jung-Hui Tsai;King-Poul Ge;Ming-Jui Lin; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	2002	Performance of InGaP/InGaAs/GaAs camel-gate single d-doping pHEMT	Jung-Hui Tsai; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	2002	Integrated fabrication of InGaP/GaAs d-doped Heterojunction bipolar transistor and doped-channel field effect transistor	Jung-Hui Tsai; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	2002	High-Linearity InGaP/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT) with Camel-Gate Structure	Jung-Hui Tsai;Jeng-Shyan Chen; 蔡榮輝

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