English  |  正體中文  |  简体中文  |  總筆數 :2856600  
造訪人次 :  53469018    線上人數 :  904
教育部委託研究計畫      計畫執行:國立臺灣大學圖書館
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
關於TAIR

瀏覽

消息

著作權

相關連結

"jung hui tsai"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序 依日期排序

顯示項目 186-195 / 294 (共30頁)
<< < 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

機構 日期 題名 作者
國立高雄師範大學 2004 On the negative differential resistance of AlInAs/GaInAs delta-doped HEMT for logic application Jung-Hui Tsai;King-Poul Zhu;Shih-Wei Tan;Wen-Shiung Lour; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 2004 A new S-shaped switch based on an InGaP/GaAs/InGaAs step-compositional-emitter heterojunction bipolar transistor Jung-Hui Tsai;Shao-Yen Chiu;Ying-Cheng Chu;King-Poul Zhu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 2004 Device linearity enhancement of InGaP/InGaAs/GaAs camel-gate p-channel pseudomorphic high electron mobility transistor Jung-Hui Tsai;Shao-Yen Chiu;Ying-Cheng Chu;King-Poul Zhu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 2003-08 極高線性度磷化銦鎵/砷化銦鎵/砷化鎵駝峰式閘極擬晶性高電子遷移率電晶體之研究(I) 蔡榮輝; Jung-Hui Tsai
國立高雄師範大學 2003 /InGaAs/GaAs camel-gate p-channel pseudomorphic modulation-doped field effect transistor Jung-Hui Tsai;King-Poul Zhu;Ying-Cheng Chu;Shao-Yen Chiu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 2003 Electrical Properties of single delta-doped InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT with camel-like gate structure Jung-Hui Tsai;King-Poul Zhu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 2003 High performances of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors with a d-doped sheet between two spacer layers Jung-Hui Tsai; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 2003 Multiple negative differential resistance of InP/InGaAs superlattice-emitter resonant-tunneling bipolar transistor at room temperature Jung-Hui Tsai; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 2003 A novel InGaP/InGaAs/GaAs double d-doped pHEMT with camel-like gate structure Jung-Hui Tsai; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 2003 Investigation of InP/InGaAs superlattice-emitter resonant tunneling bipolar transistor at room temperature Jung-Hui Tsai;King-Poul Zhu; 蔡榮輝

顯示項目 186-195 / 294 (共30頁)
<< < 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目