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臺大學術典藏 2018-09-10T08:37:16Z Optical characterization of MBE-Grown ZnO epilayers Karaliunas, M.;Serevicius, T.;Kuokstis, E.;Jursenas, S.;Ting, S.Y.;Huang, J.J.;Yang, C.C.; Karaliunas, M.; Serevicius, T.; Kuokstis, E.; Jursenas, S.; Ting, S.Y.; Huang, J.J.; Yang, C.C.; CHIH-CHUNG YANG
國立臺灣大學 2006 Effect of annealing on optical properties of InGaN / GaN multiple quantum wells Cheng, Y.-C.; Feng, S.-W.; Yang, C.C.; Kuo, C.-T.; Tsang, J.-S.; Jursenas, S.; Miasojedovas, S.; Zukauskas, A.
國立臺灣大學 2006 Effect of Annealing on Optical Properties of InGaN /GaN Multiple Quantum Wells Cheng, Y.C.; Feng, S.W.; Yang, C.C.; Kuo, C.T.; Tsang, J.S.; Jursenas, S.; Miasojedovas, S.; Zukauskas, A.
國立臺灣大學 2005 Carrier Localization Effect in Polarized InGaN Multiple Quantum Wells Zukauskas, A.; Kazlauskas, K.; Tamulaitis, G.; Mickevicius, J.; Jursenas, S.; Kurilcik, G.; Miasojedovas, S.; Springis, M.; Tale, I.; Cheng, Yung-Chen; Wang, Hsiang-Chen; Huang, Chi-Feng; Yang, C. C.
國立臺灣大學 2005 Monte Carlo simulation approach for a quantitative characterization of the band edge in InGaN quantum wells Kazlauskas, K.; Tamulaitis, G.; Jursenas, S.; Zukauskas, A.; Springis, M.; Cheng, Yung-Chen; Wang, Hsiang-Chen; Huang, Chi-Feng; Yang, C. C.
國立臺灣大學 2003 Quantum-well Thickness Dependence of Stimulated Emission in InGaN/GaN Structures Juršėnas, S.; Miasojedovas, S.; Kurilčik, G.; Žukauskas, A.; Feng, Shih-Wei; Cheng, Yung-Chen; Yang, C.C.; Kuo, Cheng-Ta; Tsang, Jian-Shihn

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