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國立中山大學 1991-06 High-Speed and Low-Relative-Intensity Noise 1.3 mm InGaAsP Semi-Insulating Buried Crescent Lasers W.H. Cheng; K.D. Buehring; A. Appelbaum;D. Renner; S. Shin; C.B. Su; A. Mar; J.E. Bowers
國立中山大學 1989 Wide-Band Modulation of 1.3 mm InGaAsP Buried Crescent Lasers with Iron and Cobalt-Doped Semi-Insulating Current Blocking Layers W.H. Cheng;S.Y. Huang;A. Appelbaum;J. Pooladdej;K.D. Buehring;D. Wolf;D. Renner;K.L. Hess;S.W. Zehr
國立中山大學 1988 Semi-Insulating Cobalt-Doped InP Growth by MOCVD K.L. Hess;S.W. Zehr;W.H. Cheng;J. Pooladdej;K.D. Buehring;D. Wolf
國立中山大學 1988 1.3 mm Cobalt-Doped Current Blocking Layers Grown by MOCVD W.H. Cheng;J. Pooladdej;S.Y. Huang;K.D. Buehring;A. Appelbaum;D. Wolf;D. Renner
國立中山大學 1987 Low-Threshold and Wide-Bandwidth 1.3 mm InGaAsP Buried Crescent Injection lasers with Semi-Insulating Current Confinement Layers W.H. Cheng;C.B. Su;K.D. Buehring;J.W. Ure;D. Perrachione;D. Renner;K.L. Hess;S.W. Zehr
國立中山大學 1987 High-Speed and High-Power 1.3 mm InGaAsP Buried Crescent Injection lasers with Semi-Insulating Current Blocking Layers W.H. Cheng;C.B. Su;K.D. Buehring;S.Y. Huang;J. Pooladdej;D. Wolf;D. Perrachione;D. Renner;K.L. Hess;S.W. Zehr
國立中山大學 1986 Low-Threshold and Wide-Bandwidth 1.3 mm InGaAsP Buried Crescent Injection lasers with Semi-Insulating Current Confinement Layers W.H. Cheng;C.B. Su;K.D. Buehring;C.P. Chien;J.W. Ure;D. Perrachione;D. Renner;K.L. Hess;S.W. Zehr

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