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臺大學術典藏 2018-09-10T09:50:18Z Double-band anticrossing in GaAsSbN induced by nitrogen and antimony incorporation K. I. Lin;K. L. Lin;B. W. Wang;H. H. Lin;J. S. Huang; K. I. Lin; K. L. Lin; B. W. Wang; H. H. Lin; J. S. Huang; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏 2018-09-10T07:07:58Z Characterization of band gap in GaAsSb/GaAs heterojunction and band alignment in GaAsSb/GaAs multiple quantum wells T. S. Wang;J. T. Tsai;K. I. Lin;J. S. Hwang;H. H. Lin;L. C. Chou; T. S. Wang; J. T. Tsai; K. I. Lin; J. S. Hwang; H. H. Lin; L. C. Chou; HAO-HSIUNG LIN
南台科技大學 2006-01 Preferential coalescence of nanocrystalline silicon on different film substrates C. Y. Lin; Y. K. Fang; S. F. Chen; C. S. Lin; T. H. Chou; S. B. Hwang; J. S. Hwang; K. I. Lin;陳世芳
南台科技大學 2005-08 Investigation of structure and properties of nanocrystalline silicon on various buffer layers C. Y. Lin; Y. K. Fang; S. F. Chen; C. S. Lin; T. H. Chou; S. B. Hwang; J. S. Hwang; K. I. Lin;陳世芳

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