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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:56Z	SiGe power heterojunction bipolar transistors (HBTs) fabricated by fully self-aligned double mesa technology	L.-H. Lu; S. Mohammadi; Z. Ma; G. E. Ponchak; S. A. Alterovitz; K. M. Strohm; J.-K. Luy; P. Bhattacharya; L. P. B. Katehi; LIANG-HUNG LU

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