臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立中山大學	2008	InN nanotips as excellent field emitters	K.R. Wang;S.J. Lin;L.W. Tu;M. Chen;Q.Y. Chen; T.H. Chen;M.L. Chen;H.W. Seo;N.H. Tai;S.C. Chang;I. Lo; D.P. Wang;W.K. Chu
國立中山大學	2006	Study of two-subband population in Fe-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures by persistent photoconductivity effect	Ikai Lo;J.K. Tsai;M.H. Gau;Y.L. Chen;Z.J. Chang;W.T. Wang;J.C. Chiang;K.R. Wang;Chun-Nan Chen;T. Aggerstam;S. Loudordoss
國立中山大學	2006	Unintentionally doped InN grown onto atomically flat AlN intermediate layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy	K.R. Wang;L.W. Tu;S.J. Lin;Y.L. Chen;Z.W. Jiang;M. Chen;C.L. Hsiao;K.H. Cheng;J.W. Yeh;S.K. Chen
國立中山大學	2006	Study of two-subband population in Fe-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures by persistent photoconductivity effect	Ikai Lo;J.K. Tsai;M.H. Gau;Y.L. Chen;Z.J. Chang;W.T. Wang;Jih-Chen Chiang;K.R. Wang;Chun-Nan Chen;T. Aggerstam
國立中山大學	2005	Polycrystalline to Single-Crystalline InN Grown on Si(111) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy	C.L. Hsiao;L.W. Tu;M. Chen;Z.W. Jiang;N.W. Fan;Y.J. Tu;K.R. Wang
國立中山大學	1999	Determination of built-in field by applying fast Fourier transform to the photoreflectance of surface-intrinsic n+-type doped GaAs	D.P. Wang;K.R. Wang;K.F. Hang;T.C. Huang;A.K. Chu

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