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| 臺大學術典藏 |
2019-12-27T07:49:56Z |
Demonstration of submicron depletion-mode GaAs MOSFET's with negligible drain current drift and hysteresis
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Wang, Y.C.; Hong, M.; Kuo, J.M.; Mannaerts, J.P.; Kwo, J.; Tsai, H.S.; Krajewski, J.J.; Chen, Y.K.; Cho, A.Y.; MINGHWEI HONG |
| 臺大學術典藏 |
2019-12-27T07:49:56Z |
Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3 )/GaAs power MOSFETs
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Wang, Y.C.; Hong, M.; Kuo, J.M.; Mannaerts, J.P.; Tsai, H.S.; Kwo, J.; Krajewski, J.J.; Chen, Y.K.; Cho, A.Y.; MINGHWEI HONG |
| 臺大學術典藏 |
2019-12-27T07:49:54Z |
New phase formation of Gd2O3films on GaAs(100)
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Kortan, A.R.; Hong, M.; Kwo, J.; Mannaerts, J.P.; Krajewski, J.J.; Kopylov, N.; Steiner, C.; Bolliger, B.; Erbudak, M.; MINGHWEI HONG; Kortan, A.R.;Hong, M.;Kwo, J.;Mannaerts, J.P.;Krajewski, J.J.;Kopylov, N.;Steiner, C.;Bolliger, B.;Erbudak, M. |
| 臺大學術典藏 |
2019-12-27T07:49:54Z |
Properties of high 庥 gate dielectrics Gd2O3 and Y2O3 for Si
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Rosamilia, J.M.; MINGHWEI HONG; Krautter, H.W.; Sergnt, A.M.; Krajewski, J.J.; Boone, T.; Lay, T.S.; Mannaerts, J.P.; Sapjeta, B.J.; Muller, D.A.; Chu, S.N.G.; Opila, R.L.; Chabal, Y.J.; Queeney, K.L.; Hong, M.; Kortan, A.R.; Kwo, J.; Kwo, J.;Hong, M.;Kortan, A.R.;Queeney, K.L.;Chabal, Y.J.;Opila, R.L.;Muller, D.A.;Chu, S.N.G.;Sapjeta, B.J.;Lay, T.S.;Mannaerts, J.P.;Boone, T.;Krautter, H.W.;Krajewski, J.J.;Sergnt, A.M.;Rosamilia, J.M. |
| 國立臺灣大學 |
1994-05 |
Localized to Itinerant Electron Transition in Sr2Ir1-xRuxO4
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Cava, R.J.; Batlogg, B.; Kiyono, K.; Takagi, H.; Krajewski, J.J.; Peck, W.F., Jr.; Rupp, L.W., Jr.; Chen, C. H. |
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