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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-02T05:59:37Z Junctionless FETs With a Fin Body for Multi-V-TH and Dynamic Threshold Operation Kumar, Malkundi Puttaveerappa Vijay; Lin, Jer-Yi; Kao, Kuo-Hsing; Chao, Tien-Sheng
國立交通大學 2019-04-02T05:58:35Z Variable-Channel Junctionless Poly-Si FETs: Demonstration and Investigation With Different Body Doping Concentrations Lin, Jer-Yi; Tsai, Chan-Yi; Shen, Chiuan-Huei; Chung, Chun-Chih; Kumar, Malkundi Puttaveerappa Vijay; Chao, Tien-Sheng
國立交通大學 2018-08-21T05:54:26Z Improving the Electrical Performance of a Quantum Well FET With a Shell Doping Profile by Heterojunction Optimization Kumar, Malkundi Puttaveerappa Vijay; Hu, Chia-Ying; Walke, Amey Mahadev; Kao, Kuo-Hsing; Chao, Tien-Sheng
國立交通大學 2018-08-21T05:53:08Z Junctionless Nanosheet (3 nm) Poly-Si TFT: Electrical Characteristics and Superior Positive Gate Bias Stress Reliability Lin, Jer-Yi; Kumar, Malkundi Puttaveerappa Vijay; Chao, Tien-Sheng
國立交通大學 2015-12-02T02:59:37Z Impacts of the Shell Doping Profile on the Electrical Characteristics of Junctionless FETs Kumar, Malkundi Puttaveerappa Vijay; Hu, Chia-Ying; Kao, Kuo-Hsing; Lee, Yao-Jen; Chao, Tien-Sheng
國立成功大學 2015-11 Impacts of the Shell Doping Profile on the Electrical Characteristics of Junctionless FETs Kumar, Malkundi Puttaveerappa Vijay; Hu, Chia-Ying; Kao, Kuo-Hsing; Lee, Yao-Jen; Chao, Tien-Sheng

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