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機構 日期 題名 作者
國立成功大學 2016-01 AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor with distributed gate grown on stripe-patterned Si(111) substrate Lin, Jyun-Hao; Huang, Shyh-Jer; Lai, Chao-Hsing; Su, Yan-Kuin
國立成功大學 2016-01 Normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor on Si(111) by recessed gate and fluorine plasma treatment Lin, Jyun-Hao; Huang, Shyh-Jer; Lai, Chao-Hsing; Su, Yan-Kuin
國立成功大學 2015-11-01 Performance improvement of GaN-based HEMT grown on silicon (111) substrate by inserting low temperature AlN layer Lin, Jyun-Hao; Huang, Shyh-Jer; Su, Yan-Kuin; Lai, Chao-Hsing
國立成功大學 2014-07-17 以有機金屬化學氣相沉積法磊晶成長氮化鎵系列高電子遷移率電晶體於矽基板之研製 賴朝興; Lai, Chao-Hsing
國立成功大學 2014-07-09 以有機金屬化學氣相沉積法磊晶成長氮化鎵系列高電子遷移率電晶體於矽基板之研製 賴朝興; Lai, Chao-Hsing

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