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机构	日期	题名	作者
國立臺灣大學	2005-04	Cryogenic Operation of Third-Generation, 200-GHz Peak-fT , Silicon–Germanium Heterojunction Bipolar Transistors	Banerjee, Bhaskar; Venkataraman, Sunitha; Lu, Yuan; Liang, Qingqing; Lee, Chang-Ho; Nuttinck, Sebastien; Heo, Dekhyuon; Chen, Emery Yi-Jan; Cressler, John D.; Laskar, Joy; Freeman, Greg; Ahlgren, David C.

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