English  |  正體中文  |  简体中文  |  总笔数 :2826152  
造访人次 :  31807050    在线人数 :  1052
教育部委托研究计画      计画执行:国立台湾大学图书馆
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
关于TAIR

浏览

消息

著作权

相关连结

"lin jun hung"的相关文件

回到依作者浏览
依题名排序 依日期排序

显示项目 1-5 / 5 (共1页)
1 
每页显示[10|25|50]项目

机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-02T05:59:53Z Evolution of RESET current and filament morphology in low-power HfO2 unipolar resistive switching memory Hou, Tuo-Hung; Lin, Kuan-Liang; Shieh, Jiann; Lin, Jun-Hung; Chou, Cheng-Tung; Lee, Yao-Jen
國立交通大學 2019-04-02T05:58:49Z Electrode dependence of filament formation in HfO2 resistive-switching memory Lin, Kuan-Liang; Hou, Tuo-Hung; Shieh, Jiann; Lin, Jun-Hung; Chou, Cheng-Tung; Lee, Yao-Jen
國立交通大學 2014-12-08T15:29:52Z Switching Mode and Mechanism in Binary Oxide Resistive Random Access Memory Using Ni Electrode Lin, Kuan-Liang; Hou, Tuo-Hung; Lee, Yao-Jen; Chang, Jhe-Wei; Lin, Jun-Hung; Shieh, Jiann; Chou, Cheng-Tung; Lei, Tan-Fu; Chang, Wen-Hsiung; Jang, Wen-Yueh; Lin, Chen-Hsi
國立交通大學 2014-12-08T15:11:55Z Evolution of RESET current and filament morphology in low-power HfO(2) unipolar resistive switching memory Hou, Tuo-Hung; Lin, Kuan-Liang; Shieh, Jiann; Lin, Jun-Hung; Chou, Cheng-Tung; Lee, Yao-Jen
國立交通大學 2014-12-08T15:11:44Z Electrode dependence of filament formation in HfO(2) resistive-switching memory Lin, Kuan-Liang; Hou, Tuo-Hung; Shieh, Jiann; Lin, Jun-Hung; Chou, Cheng-Tung; Lee, Yao-Jen

显示项目 1-5 / 5 (共1页)
1 
每页显示[10|25|50]项目