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國立交通大學	2014-12-08T15:26:27Z	Localization of NBTI-induced oxide damage in direct tunneling regime gate oxide pMOSFET using a novel low gate-leakage gated-diode (L-2-GD) method	Chung, SS; Lo, DK; Yang, JJ; Lin, TC
國立交通大學	2014-12-08T15:26:23Z	An improved interface characterization technique for a full-range profiling of oxide damage in ultra-thin gate oxide CMOS devices	Chen, SJ; Lin, TC; Lo, DK; Yang, JJ; Chung, SS; Kao, TY; Shiue, RY; Wang, CJ; Peng, YK

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