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机构 日期 题名 作者
東海大學 2017 影響負面科技意會的因素-以行動支付為例 羅藝; LO I
國立交通大學 2014-12-08T15:12:26Z InN nanotips as excellent field emitters Wang, K. R.; Lin, S. J.; Tu, L. W.; Chen, M.; Chen, Q. Y.; Chen, T. H.; Chen, M. L.; Seo, H. W.; Tai, N. H.; Chang, S. C.; Lo, I.; Wang, D. P.; Chu, W. K.
淡江大學 2010-08 Rasha效應於伍采半導體 陳俊男; Wu, C. L.; Tsay, S. F.; Chiang, J. C.; Lo, I. ; Wang, W.T.
國立臺灣大學 2005-05 Zero-field spin splitting in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN two-dimensional electron systems Cho, K. S.; Huang, T.-Y.; Wang, H. S.; Lin, M.-G.; Chen, T.-M.; Liang, C.-T.; Chen, Y. F.; Lo, I.
國立彰化師範大學 2004 A Study onf Magnetization Reversal on Elliptical Permalloy Elements Having Multi-domain Structure Kuo, J. ; Wu, Jong-Ching; Chung, W. ; Lo, I. ; Wei, Z. ; Lai, M. ; Chang, C.
國立彰化師範大學 2004 Probing the Local Magnetization Reversal Though Magnetoresistance Measurement Lo, I. ; Wu, Jong-Ching; Horng, Lance
國立成功大學 2000-10-01 Thermal effect on quantum confinement in ZnS0.06Se0.94/Zn0.8Cd0.2Se quantum wells Lo, I; Lee, K. H.; Tu, L. W.; Tsai, J. K.; Mitchel, W. C.; Tu, R. C.; Su, Yan-Kuin
國立臺灣大學 1997 Effects of band offset and nonparabolicity on the effective mass of two-dimensional electron gases in modulation-δ-doped Ga0.47 In0.53 As-based heterostructures Dai, Y. T.; Chen, Y. F.; Lo, I.

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