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教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
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| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:51:28Z |
氟鈍化應用於次世代快閃記憶體之可靠度研究
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羅正忠; LOU JEN-CHUNG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:29:38Z |
以N自由基成長氮化矽閘極製程
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童樹進; Tung Su-Ching; 羅正忠; 林進燈; Lou Jen-chung; Lin Chin-Teng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:06Z |
快速升溫氧化成長超薄氧化層研究
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劉正淇; Liu Chen Chi; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:31Z |
閘極氧化層在電漿蝕刻中的損害研究
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江政隆; Jiang, Jane-Long; 羅正忠; Lou Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:23Z |
場效激發元件驅動器的設計
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魯得中; Luu, Der-Chung; 羅正忠; Lou Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:27Z |
氟應用於二氧化鉿儲存層非揮發性記憶體之研究
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林文新; Lin, Wen-Shin; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:17Z |
以低溫微波活化鍺薄膜摻雜之研究
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莊尚勳; Chuang, Shang-Shiun; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:28Z |
氟鈍化製程與氮氧化層於高介電常數金氧半場效應電晶體與快閃記憶體的特性研究
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謝智仁; Hsieh, Chih-Ren; 林國瑞; 羅正忠; Lin, Gray; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:12Z |
氟化緩衝層應用於接觸孔蝕刻停止層局部形變矽金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究
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李翊裳; Li, Yi-Shang; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:06Z |
氟化製程應用於金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究
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莊哲輔; Chuang, Che-Fu; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
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