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教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
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| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:27Z |
氟應用於二氧化鉿儲存層非揮發性記憶體之研究
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林文新; Lin, Wen-Shin; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:17Z |
以低溫微波活化鍺薄膜摻雜之研究
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莊尚勳; Chuang, Shang-Shiun; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:28Z |
氟鈍化製程與氮氧化層於高介電常數金氧半場效應電晶體與快閃記憶體的特性研究
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謝智仁; Hsieh, Chih-Ren; 林國瑞; 羅正忠; Lin, Gray; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:12Z |
氟化緩衝層應用於接觸孔蝕刻停止層局部形變矽金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究
|
李翊裳; Li, Yi-Shang; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:06Z |
氟化製程應用於金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究
|
莊哲輔; Chuang, Che-Fu; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:02Z |
臨場濕式氧化方法在金屬鎢奈米點非揮發性記憶體之製作與研究
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謝介銘; Hsieh, Chieh-Ming; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:21:11Z |
氟鈍化效應在高介電常數複晶矽層間介電層特性及可靠度研究
|
陸冠文; Lu, Kuan-Wen; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:15Z |
氟掺雜濃度對於二氧化鉿堆疊式閘極P型金氧半場效電晶體其可靠性的影響
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謝岳展; Hsieh, Y.C.; 羅正忠; 邱碧秀; Lou, Jen-Chung; Chiou, Bi-Shiou |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:47:54Z |
Effect of fluorinated silicate glass passivation layer on electrical characteristics and dielectric reliabilities for the HfO(2)/SiON gate stacked nMOSFET
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Hsieh, Chih-Ren; Chen, Yung-Yu; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:47:38Z |
Characteristics of the Fluorinated High-k Inter-Poly Dielectrics
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Hsieh, Chih-Ren; Chen, Yung-Yu; Lu, Kwung-Wen; Lin, Gray; Lou, Jen-Chung |
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