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國立交通大學 2014-12-08T15:04:49Z THE PROCESS WINDOW OF A-SI/TI BILAYER METALLIZATION FOR AN OXIDATION-RESISTANT AND SELF-ALIGNED TISI2 PROCESS LOU, YS; WU, CY; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:41Z A NEW OXIDATION-RESISTANT COSI2 PROCESS FOR SELF-ALIGNED SILICIDATION (SALICIDE) TECHNOLOGY LOU, YS; WU, CY; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:09Z A CHARACTERIZATION TECHNIQUE FOR THE DEGRADATION CHARACTERISTICS OF TI/SI SCHOTTKY-BARRIER DIODES AND OHMIC CONTACTS AFTER THERMAL SILICIDATION LOU, YS; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:04:02Z A SELF-CONSISTENT CHARACTERIZATION METHODOLOGY FOR SCHOTTKY-BARRIER DIODES AND OHMIC CONTACTS LOU, YS; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:37Z THE EFFECTS OF IMPURITY BANDS ON THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF METAL-SEMICONDUCTOR OHMIC CONTACTS LOU, YS; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:30Z LATERAL TITANIUM SILICIDE GROWTH AND ITS SUPPRESSION USING THE A-SI/TI BILAYER STRUCTURE LOU, YS; WU, CY

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