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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 2019 Inverter logic of AlGaAs/InGaAs enhancement/depletion-mode pseudomorphic high electron mobility transistors with virtual channel layers Tsai, J.-H.;Lin, P.-S.;Lour, W.-S.;Liu, W.-C.
國立成功大學 2009-05-21 InGaP/GaAs/InGaAs delta-doped p-channel field-effect transistor with p(+)/n(+)/p camel-like gate structure Tsai, Jung-Hui; Lour, W. S.; Liu, Wen-Chau
國立成功大學 2007-06-21 Integration of n- and p-channel InGaP/InGaAs doped-channel pseudomorphic HFETs Tsai, Jason Sheng-Hong; Li, C. M.; Liu, W. C.; Guo, D. F.; Chin, S. Y.; Lour, W. S.
國立成功大學 2007-02 Characteristics of mesa- and air-type In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As metamorphic HEMTs with or without a buried gate Hsu, M. K.; Chen, H. R.; Chiu, S. Y.; Chen, W. T.; Liu, Wen-Chau; Tasi, J. H.; Lour, W. S.
國立臺灣大學 2002-12 A new InGap/AlGaAs/GaAs composite-emitter heterojunction bipolar transistors Tsai, M.K.; Wu, Y.W.; Tan, S.W.; Chu, M.Y.; Chen, W.T.; Yang, Y.J.; Lour, W.S.
臺大學術典藏 2002-10 New InGaP/AlGaAs/GaAs composite-emitter heterojunction bipolar transistors Tsai, M.K.; Wu, Y.W.; Tan, S.W.; Chu, M.Y.; Chen, W.T.; Yang, Y.J.; Lour, W.S.; YING-JAY YANG
國立臺灣大學 2002 Investigation of self-aligned p++-GaAs/n-InGaP heterojunction field-effect transistors Lour, W.-S.; Tsai, M.-K.; Chen, K.-C.; Tan, S.-W.; Wu, Y.-W.; Yang, Y.-J.
國立臺灣大學 2002 Depletion-mode and enhancement-mode InGaP/GaAs δ-HEMTs for low supply-voltage applications Tsai, M-K; Tan, S-W; Wu, Y-W; Lour, W-S; Yang, Y-J
國立臺灣大學 2001 Dual-gate In0.5Ga0.5P/In0.2Ga0.8As pseudomorphic high electron mobility transistors with high linearity and variable gate-voltage swing Lour, W.-S.; Tsai, M.-K.; Chen, K.-C.; Wu, Y.-W.; Tan, S.-W.; Yang, Y.-J.
國立臺灣大學 2001 Studies and comparisons of a N+-InGaP/δ(P+)-InGaP/n- GaAs hetero-planar-doped structure to high-linearity microwave field-effect transistors Lour, W. S.; Tsai, M. K.; Lai, K. Y.; Chen, B. L.; Yang, Y. J.

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