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| 國立臺灣大學 |
2004 |
DC to 6-GHz High-Gain Low-noise GaInP/GaAs HBT direct-Coupled Amplifiers with and without Emitter-Capacitive Peaking
|
Meng, C. C.; Wu, T. H.; Lu, S. S. |
| 國立臺灣大學 |
2003 |
DC to 8 GHz 11 dB Gain Gilbert Micromixer Using GaInP/GaAs HBT Technology
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Meng, C. C.; Lu, S. S.; Chiang, M. H.; Chen, H. C. |
| 臺大學術典藏 |
2002 |
Wideband impedance matched GaInP/GaAs HBT Gilbert micromixer with 12 dB gain
|
Wang, C.-Y.; Lu, S.-S.; Meng, C.C.; SHEY-SHI LU |
| 國立臺灣大學 |
2001-12 |
Analysis and design of CMOS match-impedance wide-band amplifiers
|
Lu, S.S.; Chiang, M.C.; Meng, C.C. |
| 臺大學術典藏 |
2001-12 |
Analysis and design of CMOS match-impedance wide-band amplifiers
|
Lu, S.S.; Chiang, M.C.; Meng, C.C.; Lu, S.S.; Chiang, M.C.; Meng, C.C.; LuSS |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
A novel interpretation of transistor S-parameters by poles andzeros for RF IC circuit design
|
Lu, S.-S.; Chen, T.-W.; Chen, H.-C.; Meng, C.-C. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
The origin of the kink phenomenon of transistor scatteringparameter S22
|
Lu, S.-S.; Chen, T.-W.; Chen, H.-C.; Meng, C. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
Formation of submicron T-gate by rapid thermally reflowed resistwith metal transfer layer
|
Meng, C.C.; Liao, G.R.; Lu, S.S. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
10 GHz GaAs Monolithic Twin-Dipole Antenna FET Mixer
|
Meng, C. C.; Deng, K. L.; Lee, H. D.; Lu, S. S.; Wang, H. |
| 臺大學術典藏 |
2001 |
Formation of submicron T-gate by rapid thermally reflowed resist with metal transfer layer
|
Meng, C.C.; Liao, G.R.; Lu, S.S.; SHEY-SHI LU |
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