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教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
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| 國立臺灣大學 |
1995 |
High-breakdown-voltage Ga0.51In0.49P/GaAs I-HEMT and I2HEMT with a GaInP passivation layer grown by gas source molecular beam epitaxy
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Lu, S. S.; Huang, C. L.; Sun, T. P. |
| 國立臺灣大學 |
1995 |
A wide-G range silicon piezoresistive accelerometer
|
Hsu, Y. W.; Lu, S. S.; Yang, L. J.; Chang, P. Z. |
| 國立臺灣大學 |
1995 |
High-linearity high-current-drivability Ga0.51In0.49P/GaAs MISFET using Ga0.51In0.49P airbridge gate structure grown by GSMBE
|
Lin, Y.S.; Lu, S.S.; Sun, T.P. |
| 國立臺灣大學 |
1994-08 |
Robotic Deburring with a Hybrid-Compliance End-Effector
|
Shih, C.A.; Lu, S.S.; Huang, H.P. |
| 國立臺灣大學 |
1994-05 |
Piezoelectric field effect transistor (PEFET) using In0.2Ga0.8As/Al0.35Ga0.65As/In0.2Ga0.8A s/GaAs strained layer structure on (111)B GaAs substrate
|
Lu, S.S.; Huang, C.L. |
| 國立臺灣大學 |
1994 |
A fuzzy cell mapping method for a time sub-optimal control implementation
|
Yen, J.Y.; Chao, W.C.; Lu, S.S. |
| 國立臺灣大學 |
1994 |
A GSMBE grown GaInP/GaAs narrow base DHBT exhibiting N-shape negative differential resistance with variable peak-to-valley current ratio up to 1?107 at room temperature
|
Lu, S.S.; Wang, Y.J. |
| 國立臺灣大學 |
1993-10 |
An Error Compensator for Precision NC Turning
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范光照; Lu, S.S.; Fan, K. C.; Lu, S.S. |
| 國立臺灣大學 |
1993-02 |
A CAD/CAM Directed In-Cycle Gauging System
|
范光照; Chen, L.C.; Lu, S.S.; Fan, K. C.; Chen, L.C.; Lu, S.S. |
| 國立臺灣大學 |
1993 |
Burr Detection by Using Vision Image
|
Lee, K.C.; Huang, H.P.; Lu, S.S. |
| 國立臺灣大學 |
1992-06 |
A flexible robot inspection cell based on vision image
|
Lee, K.C.; Huang, H.P.; Lu, S.S. |
| 國立臺灣大學 |
1992-04 |
DC characterization of GaInP/GaAs tunneling emitter bipolar transistors
|
Lu, S.S.; Wu, C.C.; Huang, C.C.; Williamson, F.; Nathan, M.I. |
| 國立臺灣大學 |
1992-02 |
GSMBE grown (GaIn)P/GaAs heterojunction bipolar transistors exhibiting current gains up to 590
|
Lu, S.S.; Huang, C.C. |
| 國立臺灣大學 |
1992 |
Dc characterization of the Ga[sub 0.51]In[sub 0.49]P/GaAs tunneling emitter bipolar transistor
|
Lu, S.S.; Wu, C.C. |
| 國立臺灣大學 |
1992 |
High-current-gain Ga0.51In0.49P/GaAs heterojunction bipolar transistor grown by gas-source molecular beam epitaxy
|
Lu, S.S.; Huang, C.C. |
| 國立臺灣大學 |
1992 |
Small offset-voltage In0.49Ga0.51P/GaAsdouble-barrier bipolar transistor
|
Wu, C.C.; Lu, S.S. |
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