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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 1996 Doping Effects on Normal Incidence Interband and Intersubband Optical Tranistioin on GaSb/InAs Superlattices Chen, S. M.; Su, Y. K.; Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1996 8-14 m m Normal Incident Optical Transition in GaSb/InAs Superlattices Chen, S. M.; Su, Y. K.; Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1994-06 原子在階梯表面的擴散 Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1994-02 K-space formulation of G-X mixing for excitons in thin GaAs/AlAs quantum well Chang, C. P.; Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1994 K-space formulation of -X mixing for excitons in thin GaAs/AlAs quantum well Chang, C. P.; Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1994 Electroabsorption of thin AlAs/GaAs quantum well : effect of Γ-X valley mixing Chang, C. P.; Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1994 Steady-state distribution of adatoms on terraces of a stepped surface Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1993 Two-mode InGaSb/GaSb strained-layer superlattice infrared photodetector Chen, Shi-Ming; Su, Yan-Kuin; Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1993 Surface and diffusion effects on double-layer delta-dopping Chiu, Hsiu-Lan; Lu, Yan-Ten
國立成功大學 1993 Effects of elastic strain on the band offset and effetcive mass of strained InGaSb epilayers Chen, S. M.; Su, Y. K.; Lu, Yan-Ten

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