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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2015-11-26T00:57:08Z	利用多層堆疊氧化鉿/氧化鑭為閘極絕緣層以提升增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體起始電壓之穩定性	黃裕翔; Huang, Yu-Xiang; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma, Jhe-Shen

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