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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:40:57Z	Fully silicided NiSi gate on La2O3 MOSFETs	Lin, CY; Ma, MW; Chin, A; Yeo, YC; Zhu, CX; Li, MF; Kwong, DL
國立交通大學	2014-12-08T15:25:47Z	Modeling finger number dependence on RF noise to 10 GHz in 0.13 mu m node MOSFETs with 80nm gate length	King, MC; Lai, ZM; Huang, CH; Lee, CF; Ma, MW; Huang, CM; Chang, Y; Chin, A

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