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| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:19Z |
藉氮化鋁鈍化層與表面處理改善氮化鎵高電子遷移率電晶體 直流與高頻特性之研究
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張家豪; Chang, Chia-Hao; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T11:20:56Z |
Gold-Free Fully Cu-Metallized InGaP/InGaAs/Ge Triple-Junction Solar Cells
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Hsu, Ching-Hsiang; Chang, Edward Yi; Chang, Hsun-Jui; Yu, Hung-Wei; Hong Quan Nguyen; Chung, Chen-Chen; Maa, Jer-Shen; Pande, Krishna |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T11:20:38Z |
Investigation of the low-temperature AlGaN interlayer in AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructure on Si substrate
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Hsiao, Yu-Lin; Wang, Yi-Jie; Chang, Chia-Ao; Weng, You-Chen; Chen, Yen-Yu; Chen, Kai-Wei; Maa, Jer-Shen; Chang, Edward Yi |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T08:30:58Z |
Effect of V/III Ratios on Surface Morphology in a GaSb Thin Film Grown on GaAs Substrate by MOCVD
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Hsiao, Chih-Jen; Liu, Chun-Kuan; Huynh, Sa-Hoang; Minh, Thien-Huu Ha; Yu, Hung-Wei; Nguyen, Hong-Quan; Maa, Jer-Shen; Chang, Shoou-Jinn; Chang, Edward Yi |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T08:29:38Z |
2H-Silicon Carbide Epitaxial Growth on c-Plane Sapphire Substrate Using an AlN Buffer Layer and Effects of Surface Pre-Treatments
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Luong, Tien-Tung; Binh Tinh Tran; Ho, Yen-Teng; Wei, Ting-Wei; Wu, Yue-Han; Yen, Tzu-Chun; Wei, Lin-Lung; Maa, Jer-Shen; Chang, Edward Yi |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:27Z |
1奈米等效厚度之氧化鑭與氧化鉿複合氧化物材料在砷化銦鎵金氧半元件之研究
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侯姿清; Hou, Tzu-Ching; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:17Z |
利用場效電板改善氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體高功率元件特性與可靠性之研究
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金秉頡; Chin, Ping-Chieh; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:17Z |
以氧化鑭/氧化鉿堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層研究
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藍偉誠; Lan, Wei-Cheng; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:59Z |
多晶矽控制表面絨化以降低黑絲絨
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謝世榮; Xie Shi-Rong; 馬哲申; Maa Jer-Shen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:39:29Z |
離子束配向及光配向技術在大尺寸TFT-LCD之未來發展性研究
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曹心潔; Tsao, Hsin-Chieh; 馬哲申; 鄭協昌; Maa, Jer-Shen; Jeng, Shie-Chang |
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