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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T07:01:22Z	Demonstration of GaN MIS diodes by using AlN and Ga 2 O 3 (Gd 2 O 3) as dielectrics	Ren, F; Abernathy, CR; MacKenzie, JD; Gila, BP; Pearton, SJ; Hong, M; Marcus, MA; Schurman, MJ; Baca, AG; Shul, RJ; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏	2018-09-10T06:28:18Z	Dielectrics for GaN based MIS-diodes	Ren, F; Abernathy, CR; MacKenzie, JD; Gila, BP; Pearton, SJ; Hong, M; Macos, M; Schurman, MJ; Baca, AG; Shul, RJ; MINGHWEI HONG

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