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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:16:53Z	Electrical-stress effects and device modeling of 0.18-mu m RF MOSFETs	Kao, HL; Chin, A; Liao, CC; Chen, CC; McAlister, SP; Chi, CC
國立交通大學	2014-12-08T15:16:41Z	Performance and potential of germanium on insulator field-effect transistors	Yu, DS; Kao, HL; Chin, A; McAlister, SP

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