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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:25:25Z Linearity improvement for power MESFET devices using source inductive feedback and input impedance mismatch Meng, CC; Wang, W
國立交通大學 2014-12-08T15:19:20Z A 0.18-mu m CMOS CMFB downconversion micromixer with deep N-well technology for LO-RF and LO-IF isolation improvements Meng, CC; Hsu, SK; Wu, TH; Huang, GW
國立交通大學 2014-12-08T15:19:07Z A monolithic 5.2-GHz single-ended input and single-ended output GaInP/GaAs HBT upconversion Gilbert mixer with integrated oscillator Meng, CC; Hsu, SK; Huang, GW
國立交通大學 2014-12-08T15:19:02Z Determining GaInP/GaAs HBT device structure by DC measurements on a two-emitter HBT device and high frequency transit time measurements Meng, CC; Tsou, BC; Tseng, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:18:53Z A 5.7 GHz Gilbert upconversion mixer with an LC current combiner output using 0.35 mu m SiGe HBT technology Wu, TH; Meng, CC; Huang, GW
國立交通大學 2014-12-08T15:18:38Z 5.4GHz-127 dBc/Hz at 1MHz GaInP/GaAs HBT quadrature VCO using stacked transformers Meng, CC; Chen, CH; Chang, YW; Huang, GW
國立交通大學 2014-12-08T15:18:29Z Analysis of DC characteristics and small signal equivalent circuit parameters of GaAs metal-semiconductor field effect transistors with different gate lengths and different gate contours by two-dimensional device simulations Meng, CC; Su, JY; Yang, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:18:20Z Compact 5.2-GHz GaInP/GaAs HBT gilbert upconverter using lumped rat-race hybrid and current combiner Meng, CC; Wu, TH; Lin, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:17:00Z The port-to-port isolation of the downconversion P-type micromixer using different N-well topologies Tseng, SC; Meng, CC; Li, YH; Huang, GW
國立交通大學 2014-12-08T15:17:00Z The effect of selectively and fully ion-implanted collector on RF characteristics of BJT devices Meng, CC; Su, JY; Tsou, BC; Huang, GW

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