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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2007 以原子層沉積技術生長高品質二氧化鈦膜為閘極氧化層製作Si與III-V MOSFETs 李明逵; Ming-Kwei Lee
國立中山大學 2006-12 Properties of titanium oxide grown on poly-silicon by metal organic chemical vapor deposition Ming-Kwei Lee;Hung-Chang Lee;Chih-Min Hsu
國立中山大學 2006 ZnSe self-assembled quantum dots grown on GaAs with special ZnS buffer layer Ming-Kwei Lee; Tsung-Hsiang Shih; Chaur-Ching Lan
國立中山大學 2006 High dielectric constant titanium oxide grown on amorphous silicon by metal-organic chemical vapour deposition Ming-Kwei Lee; Hung-Chang Lee; Chih-Mine Hsu
國立中山大學 2006 Characteristics of liquid-phase-deposited TiO2 film on hydrogenated amorphous silicon Ming-Kwei Lee; Hung-Chang Lee; Chih-Min Hsu
國立中山大學 2006 Electrical characterization of thermal-annealed very thin barium-doped titanium silicon oxide prepared by liquid-phase deposition Ming-Kwei Lee; Kuan-Wen Tung; Chia-Ming Yu; Hung-Chang Lee
國立中山大學 2006 Electrical characteristics of postmetallization-annealed MOCVD-TiO2 films on ammonium sulfide-treated GaAs Ming-Kwei Lee; Chih-Feng Yen; Jung-Jie Huang; Shi-Hao Lin
國立中山大學 2006 Electrical Characteristics of Liquid Phase Deposited TiO2 Films on GaAs Substrate with (NH4)2Sx treatment Ming-Kwei Lee; Chih-Feng Yen; Jung-Jie Huang
國立中山大學 2006 Gas-assisted Etching of Sapphire Using Focused Ion Beam Ming-Kwei Lee; Kwei-Kuan Kuo
國立中山大學 2006 使用TiO2為薄膜電晶體閘極高介電常數介質及SiOF為金屬間低介電常數介質於TFT/LCD之研製(II) 李明逵; Ming-Kwei Lee
國立中山大學 2006 以原子層沉積技術生長高品質二氧化鈦膜為閘極氧化層製作Si與III-V MOSFETs 李明逵; Ming-Kwei Lee
國立中山大學 2005-11 Characteristics of Liquid-Phase Deposited SiO2 on n+-GaN/sapphire Ming-Kwei Lee;Chen-Lin Ho;Jia-Yi Zeng
國立中山大學 2005-11 Electrical Characteristics of LPD TiO2 Films on GaAs Substrate with (NH4)2Sx treatment Ming-Kwei Lee;Chih-Feng Yen;Jung-Jie Huang
國立中山大學 2005-11 Characteristics of Niobium Doped TiO2 Thin Films as Gas Sensor Prepared by Liquid Phase Deposition Ming-Kwei Lee;Shih-Chang Fang;Chung-Ming Shih;Hung-Chang Lee
國立中山大學 2005-11 Electrochromic Properties of NiO Thin Films Grown by Liquid-Phase Deposition Ming-Kwei Lee;Cho-Han Fan;Hung-Chi Wang
國立中山大學 2005-11 Variation of electrical characteristics of LPD-SiO2/oxygen-annealed MOCVD- TiO2 films on Si substrate by nitrogen annealing Ming-Kwei Lee;Chih-Feng Yen;Jung-Jie Huang;Shi-Hao Lin
國立中山大學 2005-11 Study of electrical properties with MQW InGaN/GaN blue LED between 143K to 293 K Ming-Kwei Lee;Hung-Chang Lee;Jing-Ru Chen
國立中山大學 2005-11 Characteristics of TiO2 as gate oxide film grown on hydrogenated amorphous silicon Prepared by liquid phase deposition Ming-Kwei Lee;Hung-Chang Lee;Chih-Mine Hsu
國立中山大學 2005-11 High dielectric constant titanium oxide grown on amorphous silicon by metal-organic chemical vapor deposition Ming-Kwei Lee;Hung-Chang Lee;Chih-Mine Hsu
國立中山大學 2005-10 Nano-scaled Anatase Phase Titanium Oxide Converted from Ammonium Oxotrifluorotitanate Prepared by Aqueous Solution of Ammonium Hexafluorotitanate and Boric Acid Ming-Kwei Lee;Tsung-Hsiang Shih;Chung-Min Shih
國立中山大學 2005 Variation of electrical characteristics of metallorganic chemical vapor deposited TiO2 films by postmetallization annealing Ming-Kwei Lee; Jung-Jie Huang; Yu-Hsiang Hung
國立中山大學 2005 Electrical characteristics improvement of oxygen annealed MOCVD-TiO2 films Ming-Kwei Lee; Jung-Jie Huang; Tsung-Shun Wu
國立中山大學 2005 Mechanism of clusters formation on zinc selenium/gallium arsenic prepared by metalorganic vapor phase epitaxy Ming-Kwei Lee; Chaur-Ching Lan; Tsung-Hsiang Shih
國立中山大學 2005 Low Leakage Current Flrorinated LPD-SiO2/MOCVD-TiO2 Films Ming-Kwei Lee; Jung-Jie Huang; Tsung-Shun Wu
國立中山大學 2005 利用TiO/sub 2/為閘氧化層製作Si與InP MOSFETs(III) 李明逵; Ming-Kwei Lee

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