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臺大學術典藏 2019-03-11T08:02:02Z Effect of hydrogen participation on the improvement in electrical characteristics of HfO2 gate dielectrics by post-deposition remote N2, N2/H2, and NH3 plasma treatments Miin-Jang Chen;Min-Hung Lee;Hsin-ChihLin;Chin-Lung Kuo;Jhih-Jie Huang;Ming-Lun Chang;Li-Tien Huang;M. H.Liao; M. H.Liao; Li-Tien Huang; Ming-Lun Chang; Jhih-Jie Huang; Chin-Lung Kuo; Hsin-ChihLin; Min-Hung Lee; Miin-Jang Chen
國立臺灣海洋大學 2014-03 An Open Automated Android Behavior Monitor in Cloud Chun-Ying Huang;Shang-Pin Ma;Ming-Lun Chang;Ching-Hsiang Chiu;Ting-Chun Huang;
中原大學 2000-02-01 The Analysis of Warpage for Integrated Circuit Devices Wen-Ren Jong;Ming-Lun Chang

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