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臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:16Z Atomic nature of the Schottky barrier height formation of the Ag/GaAs(001)-2???4 interface: An in-situ synchrotron radiation photoemission study Cheng, C.-P.; Chen, W.-S.; Lin, K.-Y.; Wei, G.-J.; Cheng, Y.-T.; Lin, Y.-H.; Wan, H.-W.; Pi, T.-W.; Tung, R.T.; Kwo, J.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:16Z Atomic layer deposited single-crystal hexagonal perovskite YAlO3 epitaxially on GaAs(111)A Young, L.B.;Cheng, C.-K.;Lu, G.-J.;Lin, K.-Y.;Lin, Y.-H.;Wan, H.-W.;Li, M.-Y.;Cai, R.-F.;Lo, S.-C.;Hsu, C.-H.;Kwo, J.;Hong, M.; Young, L.B.; Cheng, C.-K.; Lu, G.-J.; Lin, K.-Y.; Lin, Y.-H.; Wan, H.-W.; Li, M.-Y.; Cai, R.-F.; Lo, S.-C.; Hsu, C.-H.; Kwo, J.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:15Z Van der Waals epitaxy of topological insulator Bi2Se3 on single layer transition metal dichalcogenide MoS2 Chen, K.H.M.; Lin, H.Y.; Yang, S.R.; Cheng, C.K.; Zhang, X.Q.; Cheng, C.M.; Lee, S.F.; Hsu, C.H.; Lee, Y.H.; Hong, M.; Kwo, J.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:15Z Surface electronic structure of epi germanium (001)-2 ? 1 Cheng, Y.-T.; Lin, Y.-H.; Chen, W.-S.; Lin, K.-Y.; Wan, H.-W.; Cheng, C.-P.; Cheng, H.-H.; Kwo, J.; Hong, M.; Pi, T.-W.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:15Z Analysis of border and interfacial traps in ALD-Y2O3 and -Al2O3 on GaAs via electrical responses - A comparative study Chang, T.W.; Lin, K.Y.; Lin, Y.H.; Young, L.B.; Kwo, J.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:15Z Ultra-high thermal stability and extremely low Dit on HfO2/p-GaAs(001) interface Wan, H.W.; Lin, Y.H.; Lin, K.Y.; Chang, T.W.; Cai, R.F.; Kwo, J.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:15Z Enhancement of effective dielectric constant using high-temperature mixed and sub-nano-laminated atomic layer deposited Y 2 O 3 /Al 2 O 3 on GaAs(001) Lin, K.Y.;Young, L.B.;Cheng, C.K.;Chen, K.H.;Lin, Y.H.;Wan, H.W.;Cai, R.F.;Lo, S.C.;Li, M.Y.;Kwo, J.;Hong, M.; Lin, K.Y.; Young, L.B.; Cheng, C.K.; Chen, K.H.; Lin, Y.H.; Wan, H.W.; Cai, R.F.; Lo, S.C.; Li, M.Y.; Kwo, J.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:14Z Interfacial characteristics of Y2O3/GaSb(001) grown by molecular beam epitaxy and atomic layer deposition Lin, Y.H.; Lin, K.Y.; Hsueh, W.J.; Young, L.B.; Chang, T.W.; Chyi, J.I.; Pi, T.W.; Kwo, J.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:14Z GaAs metal-oxide-semiconductor push with molecular beam epitaxy Y2O3 ??In comparison with atomic layer deposited Al2O3 Wan, H.W.;Lin, K.Y.;Cheng, C.K.;Su, Y.K.;Lee, W.C.;Hsu, C.H.;Pi, T.W.;Kwo, J.;Hong, M.; Wan, H.W.; Lin, K.Y.; Cheng, C.K.; Su, Y.K.; Lee, W.C.; Hsu, C.H.; Pi, T.W.; Kwo, J.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:14Z Perfecting the Al2O3/In0.53Ga0.47As interfacial electronic structure in pushing metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor device limits using in-situ atomic-layer-deposition Hong, M.; Wan, H.W.; Lin, K.Y.; Chang, Y.C.; Chen, M.H.; Lin, Y.H.; Lin, T.D.; Pi, T.W.; Kwo, J.; MINGHWEI HONG

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