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臺大學術典藏 2019-12-19T08:38:29Z Large positive in-plane magnetoresistance induced by localized states at nanodomain boundaries in graphene Janabi, Y.T.; Molotkov, S.N.; Shvets, I.V.; Lichtenstein, A.I.; Katsnelson, M.I.; Chang, C.-R.; CHING-RAY CHANG; Chun, B.S.; Wu, H.-C.;Chaika, A.N.;Hsu, M.-C.;Huang, T.-W.;Abid, M.;Abid, M.;Aristov, V.Y.;Molodtsova, O.V.;Babenkov, S.V.;Niu, Y.;Murphy, B.E.;Krasnikov, S.A.;L?bben, O.;Liu, H.;Chun, B.S.;Janabi, Y.T.;Molotkov, S.N.;Shvets, I.V.;Lichtenstein, A.I.;Katsnelson, M.I.;Chang, C.-R.; Wu, H.-C.; Chaika, A.N.; Hsu, M.-C.; Huang, T.-W.; Abid, M.; Abid, M.; Aristov, V.Y.; Molodtsova, O.V.; Babenkov, S.V.; Niu, Y.; Murphy, B.E.; Krasnikov, S.A.; L?bben, O.; Liu, H.
臺大學術典藏 2019-12-19T08:38:29Z Large positive in-plane magnetoresistance induced by localized states at nanodomain boundaries in graphene Janabi, Y.T.; Molotkov, S.N.; Shvets, I.V.; Lichtenstein, A.I.; Katsnelson, M.I.; Chang, C.-R.; CHING-RAY CHANG; Chun, B.S.; Wu, H.-C.;Chaika, A.N.;Hsu, M.-C.;Huang, T.-W.;Abid, M.;Abid, M.;Aristov, V.Y.;Molodtsova, O.V.;Babenkov, S.V.;Niu, Y.;Murphy, B.E.;Krasnikov, S.A.;L?bben, O.;Liu, H.;Chun, B.S.;Janabi, Y.T.;Molotkov, S.N.;Shvets, I.V.;Lichtenstein, A.I.;Katsnelson, M.I.;Chang, C.-R.; Wu, H.-C.; Chaika, A.N.; Hsu, M.-C.; Huang, T.-W.; Abid, M.; Abid, M.; Aristov, V.Y.; Molodtsova, O.V.; Babenkov, S.V.; Niu, Y.; Murphy, B.E.; Krasnikov, S.A.; L?bben, O.; Liu, H.

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