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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-10-05T00:08:39Z Contact Engineering High-Performance n-Type MoTe2 Transistors Mleczko, Michal J.; Yu, Andrew C.; Smyth, Christopher M.; Chen, Victoria; Shin, Yong Cheol; Chatterjee, Sukti; Tsai, Yi-Chia; Nishi, Yoshio; Wallace, Robert M.; Pop, Eric
國立交通大學 2019-04-02T05:58:39Z Contact Engineering of Trilayer Black Phosphorus With Scandium and Gold Tsai, Yi-Chia; Magyari-Kope, Blanka; Li, Yiming; Samukawa, Seiji; Nishi, Yoshio; Sze, Simon M.
國立交通大學 2017-04-21T06:49:48Z Design and Optimization Methodology for 3D RRAM Arrays Deng, Yexin; Chen, Hong-Yu; Gao, Bin; Yu, Shimeng; Wu, Shih-Chieh; Zhao, Liang; Chen, Bing; Jiang, Zizhen; Liu, Xiaoyan; Hou, Tuo-Hung; Nishi, Yoshio; Kang, Jinfeng; Wong, H. -S. Philip
國立交通大學 2015-12-02T03:00:54Z Improved Multi-level Control of RRAM Using Pulse-Train Programming Zhao, Liang; Chen, Hong-Yu; Wu, Shih-Chieh; Jiang, Zizhen; Yu, Shimeng; Hou, Tuo-Hung; Wong, H. -S Philip; Nishi, Yoshio
國立交通大學 2014-12-16T06:14:17Z Method for forming an interfacial passivation layer on the Ge semiconductor Liu Po-Tsun; Huang Chen-Shuo; Huang Yi-Ling; Cheng Szu-Lin; Sze Simon M.; Nishi Yoshio
國立交通大學 2014-12-08T15:07:15Z Effects of postgate dielectric treatment on germanium-based metal-oxide-semiconductor device by supercritical fluid technology Liu, Po-Tsun; Huang, Chen-Shuo; Huang, Yi-Ling; Lin, Jing-Ru; Cheng, Szu-Lin; Nishi, Yoshio; Sze, S. M.

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