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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:04:44Z DIAMOND FILM GROWTH ON CEMENTED TUNGSTEN CARBIDES STUDIED BY SEM, AES AND XPS CHEN, JL; HUANG, TH; PAN, FM; KUO, CT; CHANG, CS; LIN, TS
國立交通大學 2014-12-08T15:03:17Z EFFECT OF OXYGEN IMPURITY ON MICROSTRUCTURE AND BORON PENETRATION IN A BF2+ IMPLANTED LPCVD STACKED AMORPHOUS-SILICON P(+) GATED PMOS CAPACITOR LIN, CY; PAN, FM; CHOU, PF; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:08Z EFFECTS OF DRY-ETCHING DAMAGE REMOVAL ON LOW-TEMPERATURE SILICON SELECTIVE EPITAXIAL-GROWTH TSENG, HC; CHANG, CY; PAN, FM; CHEN, LP
國立交通大學 2014-12-08T15:03:08Z SE-DOPED GAN FILMS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GUO, JD; FENG, MS; PAN, FM
國立交通大學 2014-12-08T15:03:07Z STUDY OF SCHOTTKY BARRIERS ON N-TYPE GAN GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GUO, JD; FENG, MS; GUO, RJ; PAN, FM; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:03Z A COMPREHENSIVE STUDY OF SUPPRESSION OF BORON PENETRATION BY AMORPHOUS-SI GATE IN P+-GATE PMOS DEVICES LIN, CY; JUAN, KC; CHANG, CY; PAN, FM; CHOU, PF; HUNG, SF; CHEN, LJ
國立交通大學 2014-12-08T15:02:54Z A bilayer Ti/Ag ohmic contact for highly doped n-type GaN films Guo, JD; Lin, CI; Feng, MS; Pan, FM; Chi, GC; Lee, CT
國立交通大學 2014-12-08T15:02:26Z Schottky contact and the thermal stability of Ni on n-type GaN Guo, JD; Pan, FM; Feng, MS; Guo, RJ; Chou, PF; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:02:14Z Characterization of boron silicide layer deposited by ultrahigh-vacuum chemical-vapor deposition Tseng, HC; Pan, FM; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:01:45Z Effects of isolation oxides on undercut formation and electrical characteristics for silicon selective epitaxial growth Tseng, HC; Chang, CY; Pan, FM; Chen, LP

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