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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 2023-07-13 Controllable coexistence of threshold and non-volatile crosspoint memory for highly linear synaptic device applications Pal;Parthasarathi;Singh;Amit;Wang;Yeong-Her
國立成功大學 2022-12 Remarkable Reduction in I-G with an Explicit Investigation of the Leakage Conduction Mechanisms in a Dual Surface-Modified Al2O3/SiO2 Stack Layer AlGaN/GaN MOS-HEMT Mazumder;Soumen;Pal;Parthasarathi;Lee;Kuan-Wei;Wang;Yeong-Her
國立成功大學 2022-09 High Linearity Synaptic Devices Using Ar Plasma Treatment on HfO2 Thin Film with Non-Identical Pulse Waveforms Lee;Ke-Jing;Weng;Yu-Chuan;Wang;Li-Wen;Lin;Hsin-Ni;Pal;Parthasarathi;Chu;Sheng-Yuan;Lu;Darsen;Wang;Yeong-Her
國立成功大學 2022-08 Bending Resistant Multibit Memristor for Flexible Precision Inference Engine Application Pal;Parthasarathi;Lee;Ke-Jing;Thunder;Sunanda;De;Sourav;Huang;Po-Tsang;Kaempfe;Thomas;Wang;Yeong-Her
國立成功大學 2022-03-22 Impact of the Barrier Layer on the High Thermal and Mechanical Stability of a Flexible Resistive Memory in a Neural Network Application Pal;Parthasarathi;Mazumder;Soumen;Huang;Chih-Wei;Lu;Darsen, Darsen D.;Wang;Yeong-Her
國立成功大學 2021-05-1 A Low Program Voltage Enabled Flash like AlGaN/GaN Stack Layered MIS-HEMTs Using Trap Assisted Technique Mazumder;Soumen;Pal;Parthasarathi;Tsai;Ting-Jia;Lin;Pu-Chou;Wang;Yeong-Her
國立成功大學 2020-08-3 Interconversion of complementary resistive switching from graphene oxide based bipolar multilevel resistive switching device Pal;Parthasarathi;Wang;Her, Yeong

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