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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2019-04-02T06:04:42Z Active device under bond pad to save I/O layout for high-pin-count SOC Ker, MD; Peng, JJ; Jiang, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:42:20Z Fully process-compatible layout design on bond pad to improve wire bond reliability in CMOS ICs Ker, MD; Peng, JJ
國立交通大學 2014-12-08T15:41:45Z Novel implantation method to improve machine-model electrostatic discharge robustness of stacked N-channel metal-oxide semiconductors (NMOS) in sub-quarter-micron complementary metal-oxide semiconductors (CMOS) technology Ker, MD; Hsu, HC; Peng, JJ
國立交通大學 2014-12-08T15:40:18Z ESD implantation for subquarter-micron CMOS technology to enhance ESD robustness Ker, MD; Hsu, HC; Peng, JJ
國立交通大學 2014-12-08T15:26:50Z Automatic methodology for placing the guard rings into chip layout to prevent latchup in CMOS IC's Ker, MD; Jiang, HC; Peng, JJ; Shieh, TL
國立交通大學 2014-12-08T15:26:38Z Latchup current self-stop circuit for whole-chip latchup prevention in bulk CMOS integrated circuits Peng, JJ; Ker, MD; Jiang, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:26:28Z Failure analysis of ESD damage in a high-voltage driver IC and the effective ESD protection solution Ker, MD; Peng, JJ; Jiang, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:26:23Z Electrostatic discharge implantation to improve machine-model ESD robustness of stacked NMOS in mixed-voltage I/O interface circuits Ker, MD; Hsu, HC; Peng, JJ
國立交通大學 2014-12-08T15:26:13Z Test structure and verification on the MOSFET under bond pad for area-efficient I/O layout in high-pin-count SOCIC's Ker, MD; Peng, JJ; Jiang, HC

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