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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 1992 Metalorganic chemical vapor deposition growth of Ga(0.5)In(0.5)P ordered alloys by phosphate modulation M.K. Lee;R.H. Horng;L.C. Haung
國立中山大學 1991 Ordering effects on the electrical characteristics of Ga(0.5)In(0.5)P grown by metalorganic chemical vapor deposition M.K. Lee; R.H. Horng; L.C. Haung
國立中山大學 1991 Improvements n the Heteroepitaxy of GaAs on Si by incorporating a ZnSe buffer layer M.K. Lee; R.H. Horng; D.S. Wuu; P.C. Chen
國立中山大學 1991 Using ZnSe as buffer layer to fabricate GaAs NESFET on Si M.K. Lee;B.Y. Lin;L.C. Haung;R.H. Horng
國立中山大學 1991 ZnSe blue light emitting diodes prepared by metalorganic chemical vapor deposition M.K. Lee;R.H. Horng;L.C. Haung
國立中山大學 1990 Indium Phosphide on Silicon Heteroepitaxy : Lattice Deformation and Strain Relaxation D.S. Wuu; R.H. Horng; M.K. Lee
國立中山大學 1990 Characteristics of Ga(0.51)In(0.49)P/GaAs Heterostructures Grown on Si Substrates by Organometallic Epitaxy R.H. Horng; D.S. Wuu; K.C. Huang; M.K. Lee
國立中山大學 1990 Organometallic Heteroepitaxy of Indium Phosphide Directly on Silicon for Solar Cell Applications M.K. Lee;D.S. Wuu;R.H. Horng
國立中山大學 1990 Improvements in the heteroepitaxy of GaAs on Si by Incorporating a ZnSe buffer layer M.K. Lee;R.H. Horng;D.S. Wuu;P.C. Chen
國立中山大學 1989 Improvements in the Organometallic Heteroepitaxy of Indium Phosphide Directly on Silicon D.S. Wuu; R.H. Horng; K.C. Huang; M.K. Lee
國立中山大學 1989 Material Properties of InP-on-Si Grown by Low-Pressure Organometallic Vapor Phase Epitaxy D.S. Wuu; H.H. Tung; R.H. Horng; M.K. Lee
國立中山大學 1989 Strain Variations in Heteroepitaxial InP-on-Si Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition D.S. Wuu; R.H. Horng; M.K. Lee
國立中山大學 1988 Heteroepitaxial Growth of Ga(0.51)In(0.49)P/GaAs Epilayers on Si Substrates bv Low-Pressure Organometallic Chemical Vapor Deposition R.H. Horng; D.S. We; M.K. Lee
國立中山大學 1988 Organometallic growth and Material Properties of InP-on-Si M.K. Lee;D.S. Wuu;H.H. Tung;R.H. Horng;K.C. Huang

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