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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 1999 Effects of conduction band offset on two-dimensional electron gas in delta-doped InGaAs-based heterostructures M. Ahoujja;W.C. Mitchel;S. Elhamri;R.S. Newrock;Ikai Lo
國立中山大學 1997 Multiple subband population in δ-doped AlAsSb/InGaAs heterostructures M. Ahoujja;S. Elhamri;R.S. Newrock;D.B. Mast;W.C. Mitchel;Ikai Lo;A. Fathimulla
國立中山大學 1997 Effect of well thickness on the two-dimensional electron hole system in AlXGa1-XSb/InAs quantum wells Ikai Lo;J.C. Chiang;S.F. Tsay;W.C. Mitchel;M. Ahoujja;R. Kaspi;S. Elhamri;R.S. Newrock
國立中山大學 1995 Persistent photocurrent in thin undoped GaInP/GaAs quantum wells S. Elhamri;M. Ahoujja;K. Ravindran;R.S. Newrock;W.C. Mitcliel;G.J. Brown;Ikai Lo;M. Razeghi;X.G. He
國立中山大學 1995 Persistent photoconductivity in thin undoped GaInP/GaAs quantum wells M. Ahoujja;S. Elhamri;K. Ravindran;D.B. Mast;R.S. Newrock;W.C. Mitchel;Ikai Lo;M. Razeghi;X. He
國立中山大學 1995 Interface roughness scattering in thin GaInP/GaAs quantum wells S. Elhamri;M. Ahoujja;K. Ravindran;D.B. Mast;R.S. Newrock;W.C. Mitchel;Ikai Lo;M. Razeghi;X. He
國立中山大學 1994 Observation of negative persistent photoconductivity effect in the In0.25Ga0.75Sb/InAs quantum wells Ikai Lo;W.C. Mitchel;S. Elhamri;R.S. Newrock;R. Kaspi
國立中山大學 1994 Interface roughness scattering in thin undoped GaInP/GaAs quantum wells W.C. Mitchel;G.J. Brown;Ikai Lo;S. Elhamri;M. Ahoujja;K. Ravindran;R.S. Newrock;M. Razeghi;X.G. He
國立中山大學 1994 Persistent photocurrent in thin, undoped GaInP/GaAs quantum well S. Elhamri;M. Ahoujja;R.S. Newrock;W.C. Mitchel;Ikai Lo;M. Razeghi;Xiaoguang He

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