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| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:41:44Z |
寫入/抹除 偏壓與氧化製程在快閃記憶體之可靠度研究
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張嘉維; 白田理一郎; Chang, Chia-Wei; Riichiro, Shirota |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:41:38Z |
NAND快閃記憶體在寫入及抹除狀態下的保存特性之探討
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林三景; 白田理一郎; Lin, Sang-Ching; Riichiro, Shirota |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:41:36Z |
探討快閃記憶體元件製程中氫氣濃度對可靠度特性影響分析之研究
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楊智翔; 白田理一郎; Yang,Jhih-Siang; Riichiro Shirota |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:13Z |
NAND 快閃記憶體在少量寫入/抹除操作下異常的次臨界擺幅及轉導回復
|
劉承泓; 白田理一郎; Liu, Chen-Hung; Riichiro, Shirota |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:07Z |
探討快閃記憶體元件製程中退火氫氣濃度對抹寫特性影響分析之研究
|
林承翰; 白田理一郎; Lin, Chen-Han; Riichiro, Shirota |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:04Z |
快閃記憶體元件抹寫週期可靠度中續航力與操作電壓及氧化製程之關係
|
吳昱廷; 白田理一郎; Wu, Yu-Ting; Riichiro, Shirota |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:47Z |
快閃記憶體元件抹寫週期可靠度與溫度之關係
|
吳程輝; Sen-Fei Ng; 白田理一郎; Riichiro Shirota |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:35:54Z |
P型SONOS快閃記憶體電荷注入均勻性與效率之研究
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李彥輝; Lee, Yen-Hui; 白田理一郎; Riichiro Shirota |
| 元智大學 |
2011-04 |
Impact of Edge Encroachment on Programming and Erasing Gate Current in NAND-Type Flash Memory
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Ji-Ting Liang; Chun-Hsing Shih; Wei Chang; Yan-Xiang Luo; Ming-Kun Huang; Nguyen Dang Chien,; Wen-Fa Wu; SAUMOU WU; Chenhsin Lien; Riichiro Shirota; Chiu-Tsung Huang; Su Lu; Alex Wang |
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