臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立高雄師範大學	2013	Effects of the Use of an Aluminum Reflecting and an SiO2 Insulating Layers (RIL) on the Performance of a GaN-Based Light-Emitting Diode With the Naturally Textured p-GaN Surface	Jung-Hui Tsai;Jian-Kai Liou;Chun-Chia Chen;Po-Cheng Chou;Shiou-Ying Cheng;Rong-Chau Liu;Wen-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996-06	Anomalous negative-differential-resistance (NDR) characteristics of n+-GaAs/n--GaAs/n+-In0.2Ga0.8As/i-GaAs structure	Jung-Hui Tsai;Lih-Wen Laih;Wen-Chau Liu;Wei-Chou Hsu;Yuan-Tzu Ting;Rong-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996-03	Characteristics of camel-gate structures with active doping channel profiles	Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Lih-Wen Laih;Rong-Chau Liu;Wen-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1995-01	Characteristics of metal-insulated-semiconductor (MIS) like In0.2Ga0.8As/GaAs doped-channel structure	Jung-Hui Tsai;Lih-Wen Laih;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu;Cheng-Zu Wu;Kong-Beng Thei;Rong-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1995	MBE grown GaAs tri-step doping channel camel-gate FET	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Wen-Shiung Lour;Lih-Wen Laih;Kong-Beng Thei;Cheng-Zu Wu;Rong-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1995	Negative-differential-resistorance (NDR) field-effect transistor with n--GaAs/n+-InGaAs/i-GaAs doping-channel structure	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Cheng-Zu Wu;Kong-Beng Thei;Wen-Shiung Lour;Rong-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1995	Fabrication and analysis of camel-gate field-effect transistors (CAMFET’s) with active doping channel profiles	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Kong-Beng Thei;Cheng-Zu Wu;Wen-Shiung Lour;Rong-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1995	GaAs-InGaAs doping-channel negative-differential-resistance field-effect transistor (NDRFET)	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Kong-Beng Thei;Cheng-Zu Wu;Wen-Shiung Lour;Yuan-Tzu Liu;Rong-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1995	GaAs tristep low-low doping channel field effect transistor	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Kong-Beng Thei;Cheng-Zu Wu;Wen-Shiung Lour;Yuan-Tzu Liu;Rong-Chau Liu; 蔡榮輝

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