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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2017-04-21T06:48:53Z	Fluorinated HfO2 Gate Dielectrics Engineering for CMOS by pre- and post-CF4 Plasma Passivation	Wu, Woei-Chemg; Lai, Chao-Sung; Lee, Shih-Ching; Ma, Ming-Wen; Chao, Tien-Sheng; Wang, Jer-Chyi; Hsu, Chih-Wei; Chou, Pai-Chi; Chen, Jian-Hao; Kao, Kuo-Hsing; Lo, Wen-Cheng; Lu, Tsung-Yi; Tay, Li-Lin; Rowell, Nelson

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