臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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Institution	Date	Title	Author
國立高雄師範大學	2002	Stability of Measurement of Heterostructure Bipolar Transistors Current-Voltage Characteristics with Thermal Effect	Ruey-Lue Wang;S. C. Wei;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	2002	Current gain improvement of the AlGaAs/GaAs Hetero-junction Bipolar Transistor by Ammonium sulfide treatment	Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;陳文章;王永昇
國立高雄師範大學	2001-12	Thermal Impedance Variation of HBT with High Junction Temperature	Ruey-Lue Wang;S. C. Wey;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	2001-11	Current gain improvement of the AlGaAs/GaAs Hetero-junction Bipolar Transistors	Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;王瑞祿;陳文章;王永昇
國立高雄師範大學	2001-11	由電壓對電流現象決定磷化銦鎵/砷化鎵HBT之射極平臺蝕刻終點	Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;王瑞祿;陳文章;王永昇
國立高雄師範大學	2001-02	產學合作計劃---砷化鎵系之銅製程及HBT大信號模型之研究(I)	王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	2000-08	砷化鎵系之HEMT/HBT微波元件與電路製程之研究---總計畫(III)	蘇炎坤;王瑞祿;王永和; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	2000-08	砷化鎵之HEME/HBT微波元件與電路製程之研究---子計畫三：砷化鎵之被動元件與特殊製程及寄生效應之研究(III)	王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	1999-08	砷化鎵系之HEMT/HBT微波元件與電路製程之研究---總計畫(II)	王瑞祿;蘇炎坤;王永和; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	1999-08	砷化鎵之HEME/HBT微波元件與電路製程之研究---子計畫III：砷化鎵之被動元件與特殊製程及寄生效應之研究(II)	王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	1998-08	GaAs MMIC被動元件與MESFET偏壓電路之研製	王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	1998-08	GaAs-Based微波主動元件之研究---子計畫III：HBT高頻元件等效電路之研究	王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	1998-08	GaAs-Based微波主動元件之研究---總計畫	蘇炎坤;王永和;王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	1998	Simulation and Analysis of Negative Differential Resistance Devices and Circuits by Load-line Method and PSPICE	Ruey-Lue Wang;K. J. Gan;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1997-08	MMIC微波主動元件之研製	蘇炎坤;王永和;王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學	1997	Modeling of Three-peak Current-voltage Characteristics with Two Resonant Tunneling Diodes Connected in Series	Ruey-Lue Wang;K. J. Gan;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1995	The St udy of GaAs/InGaAs Delta-doping Resnant Interband Tunneling Diode	Ruey-Lue Wang;C. C. Yang;K. C. Huang;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1994	P-N Double Quantum Well Resonant Interband Tunneling Diode with Peak-to-valley Current Ratio of 144 At Room Temperature	Ruey-Lue Wang;H. H. Tsai;Y. K. Su;H. H. Lin;T.L. Lee; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1993	Delta-Doping Inter band Tunneling diode by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;R. L. Wang;H. H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1993	Double Quantum Well Resonant Tunneling Diode	Ruey-Lue Wang;H. H. Tsai;Y. K. Su;T. S. Wu;C. H. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	The Current-Voltage Characteristics of a Delta-Doped Triple-Barrier Switch	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;C. H. Su;H.H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	The Switching Characteristics in Sawtooth Type Superlattice with Asymmetric Doping	Ruey-Lue Wang;H. H. Tsai;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	Delta-Doped Layer and Related Interband Tunnelin Giode by MOCVD	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;H. H. Tsai;C.H. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	GaAs Negative Differential Resistance Devices	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;H. H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	Delta-Doped Triple-Barrier Switching Device	Ruey-Lue Wang;T. S. Wu;Y. K. Su;H. H. Tsai; 王瑞祿

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