臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立中山大學	2005	A novel distributed charge storage element fabricated by the oxidation of amorphous silicon carbide	T.C. Chang;S.T. Yan;Y.T. Chen;P.T. Liu;S.M. Sze
國立中山大學	2005	Electron charging and discharging effects of tungsten nanocrystals embedded in silicon dioxide for low voltage nonvotatile memeory technology	T.C. Chang;P.T. Liu;S.T. Yan;S.M. Sze
國立中山大學	2005	Memeory effect of oxide/ oxygen-incorporated silicon carbide/ oxide sandwiched structure	T.C. Chang;P.T. Liu;S.T. Yan;F.M. Yang;S.M. Sze
國立中山大學	2004	Method to improve chemical-mechanical-planarization polishing rate of low-k methyl-silsesquiazane for ultralarge scale integrated interconnect application	T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;S.T. Yan;Y.C. Chang;H. Aoki;S.M. Sze;T.Y. Tseng
國立中山大學	2004	CMP of Ultra Low-k Material Porous-Polysilazane (PPSZ) for Interconnect Applications	T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;S.T. Yan;H. Aoki;Y.C. Chang;T.Y. Tseng
國立中山大學	2004	CMP of low-k methylsilsesquiazane with oxygen plasma treatment for multilevel interconnect applications	T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;S.T. Yan;H. Aoki;Y.C. Chang;T.Y. Tseng
國立中山大學	2004	CMP of ultra low-k material porous-polysilazane (PPSZ) for interconnect applications	T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;S.T. Yan;H. Aoki;T.Y. Tseng
國立中山大學	2004	A novel distributed charge storage with GeO2 nano-dots	T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.H. Hsu;M.T. Tang;S.M. Sze
國立中山大學	2004	Extraction of electrical mechanisms of low-dielectric constant material MSZ for interconnect applications	T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;H. Aoki;S.M. Sze
國立中山大學	2004	CMP of ultra low-k Methylsilsesquiazane with oxygen plasma treatment for multilevel interconnect applications	T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;S.T. Yan;H. Aoki;T.Y. Tseng

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