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國立臺灣大學 1998-01 Photoluminescence and Raman Scattering characterization of GaN, InGaN and AlGaN films using a UV Excitation Raman-Photoluminescence microscope Feng, Z.C.; Schurman, M.; Tran, C.; Salagaj, T.; Karlicek, B.; Ferguson, I.; Stall, R.A.; Dyer, C.D.; Williams, K.P.J.; Pitt, G.D.
國立臺灣大學 1997-01 Temperature dependence of the energies and broadening parameters of the interband transitions in Ga0.95Al0.05N Malikova, L.; Huang, Y.-S.; Pollak, F.H.; Feng, Z.C.; Schurman, M.; Tran, C.A.; Salagaj, T.; Stall, R.A.
國立臺灣大學 1996-01 The Growth of InGaN/(Al)GaN Quantum Well Structures in a Multi-Wafer High Speed Rotating Disk Reactor Thompson, A.G.; Schurman, M.; Feng, Z.C.; Karlicek, R.F.; Salagaj, T.; Tran, C.A.; Stall, R.A.

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