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| 國立臺灣大學 |
2010 |
Stimulated Emission in Highly (0001)-Oriented ZnO Films Grown by Atomic Layer Deposition on the Amorphous Glass Substrates
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Shih, Y.T.; Chiu, C.Y.; Chang, C.W.; Yang, J.R.; Shiojiri, M.; Chen, M.J. |
| 臺大學術典藏 |
2010 |
Electron microscopy investigations of V defects in multiple InGaN/GaN quantum wells and InGaN quantum dots
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YangJR; Shiojiri, M.; Hsu, J.T.; Li, W.C.; Tsai, H.L.; Yang, J.R.; Yang, J.R.; Li, W.C.; Tsai, H.L.; Hsu, J.T.; Shiojiri, M.Y |
| 國立臺灣大學 |
2007-11 |
Electron Microscopy Studies of GaN-Based violet laser diodes
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Shiojiri, M.; Yang, J. R. |
| 國立臺灣大學 |
2007 |
Observation of high density INGaN quantum dots
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Tsai, H. L.; Wang, T. Y.; Yang, J. R.; Wang, T. C.; Hsu, J. T.; Shiojiri, M. |
| 國立臺灣大學 |
2007 |
Structural analysis of strained p-type AlGaN/GaN superlattice
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Tsai, H. L.; Wang, T. Y.; Yang, J. R.; Chuo, C. C.; Hsu, J. T.; Ceh, M.; Shiojiri, M. |
| 國立臺灣大學 |
2006 |
Structural and compositional analyses of a strained AlGaN/GaN superlattice
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Shiojiri, M.; M.. Ceh , Sturm, S.; Chuo, C. C.; Hsu, J. T.; Yang, J. R.; Saijo, H. |
| 國立臺灣大學 |
2006 |
Structure and formation mechanism of V defects in multiple InGaN/GaN quantum well layers
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Shiojiri, M.; Chuo, C. C.; Hsu, J. T.; Yang, J. R.; Saijo, H. |
| 國立臺灣大學 |
2005 |
Determination of thickness and lattice distortion for the individual layer of strained AlGaN/GaN superlattice by high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy
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Shiojiri, M.; Ceh, M.; Sturm, S.; Chuo, C.C.; Hsu, J. T.; Yang, J. R.; Sajio, H. |
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