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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:48:54Z	Controlling the diffusion of implanted boron in Si and silicide by multiple implants	Chu, CH; Ho, KJ; Huang, CT; Shvu, SH; Lei, TF
國立交通大學	2014-12-08T15:02:47Z	The influence of Ge-implantation on the electrical characteristics of the ultra-shallow junction formed by using silicide as a diffusion source	Huang, CT; Lei, TF; Chu, CH; Shvu, SH

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