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| 臺大學術典藏 |
2020-01-13T08:22:33Z |
Ferroelectric HfZrOₓ FETs on SOI Substrate with Reverse-DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering) and NDR (Negative Differential Resistance)
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Chen, K.; Gu, S.; Wang, Z.; Liao, C.; Chou, Y.; Hong, R.; Chen, S.; Chen, H.; Siang, G.; Le, J.; Chen, P.; Liao, M.; Li, K.; Chang, S.T.; Lee, M.H.; MING-HAN LIAO |
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